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CP208分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

CP208
廠商型號

CP208

參數(shù)屬性

CP208 封裝/外殼為模具;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 55V 4A DIE

功能描述

Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
TRANS NPN 55V 4A DIE

封裝外殼

模具

文件大小

203.05 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 14:56:00

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CP208規(guī)格書詳情

CP208屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP208晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

PROCESS DETAILS

Process EPITAXIAL PLANAR

Die Size 66 x 66 MILS

Die Thickness 12.5 ± 1.0 MILS

Base Bonding Pad Area 12 x 24 MILS

Emitter Bonding Pad Area 11 x 14 MILS

Top Side Metalization Al - 50,000?

Back Side Metalization Cr/Ni/Ag - 16,000?

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    CP208-2N3054-WN

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    6V @ 1A,3A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 500mA,4V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    TRANS NPN 55V 4A DIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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