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CP373分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

CP373
廠商型號(hào)

CP373

參數(shù)屬性

CP373 包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

功能描述

MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

文件大小

604.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Central

中文名稱

美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-24 10:47:00

CP373規(guī)格書詳情

CP373屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP373晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用,它們具有高頻開關(guān)特性,同時(shí)又能承載大電流,使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用,如果超出該額定電壓值,則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。

PROCESS DETAILS

Die Size 39 x 27 MILS

Die Thickness 7.5 MILS

Gate Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS

Source Bonding Pad Area 30 x 20 MILS

Top Side Metalization Al - 40,000?

Back Side Metalization Ti/Ni/Ag - 1,000?/3,000?/10,000?

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CP373-CMPDM303-CT20

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 描述:

    MOSFET TRANSISTOR N-CH CHIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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