CP591X分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
CP591X |
| 參數(shù)屬性 | CP591X 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 60V 0.6A DIE 1=20PCS |
| 功能描述 | Small Signal Transistor PNP - Amp/Switch Transistor Chip |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
404.03 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Central |
| 中文名稱 | 美國(guó)中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-26 21:21:00 |
CP591X規(guī)格書詳情
CP591X屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由美國(guó)中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP591X晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 19 x 19 MILS
Die Thickness 5.9 MILS
Base Bonding Pad Area 3.5 x 4.3 MILS
Emitter Bonding Pad Area 3.5 x 4.5 MILS
Top Side Metalization Al - 13,000?
Back Side Metalization Au - 18,000?
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
CP591X-2N2907A-CT20
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
10nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
- 頻率 - 躍遷：
200MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
TRANS PNP 60V 0.6A DIE 1=20PCS
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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