CP681分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
CP681 |
參數(shù)屬性 | CP681 封裝/外殼為模具;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE |
功能描述 | PNP - Silicon RF Transistor Die 50mA, 20 Volt |
封裝外殼 | 模具 |
文件大小 |
620.53 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-3 23:00:00 |
CP681規(guī)格書詳情
CP681屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的CP681晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
The CP681 is a silicon PNP RF transistor designed for general purpose RF amplifi er and mixer applications.
MECHANICAL SPECIFICATIONS:
Die Size 15 x 15 MILS
Die Thickness 7.9 MILS
Base Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER
Emitter Bonding Pad Area 2.3 MIL DIAMETER
Top Side Metalization Al-Si – 13,000?
Back Side Metalization Au – 12,000?
Scribe Alley Width 3.0 MILS
Wafer Diameter 5 INCHES
Gross Die Per Wafer 74,000
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
CP681-MPSH81-CT
- 制造商:
Central Semiconductor Corp
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
帶
- 晶體管類型:
PNP
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
20V
- 頻率 - 躍遷:
600MHz
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
60 @ 5mA,10V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
50mA
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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