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IRF5803	文件：109.38 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-40V) Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicati	IRF International Rectifier	IRF
IRF5803PBF	文件：207.68 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplicatio	IRF International Rectifier	IRF

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