CPH6443分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
CPH6443 |
| 參數(shù)屬性 | CPH6443 封裝/外殼為SOT-23-6；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
| 功能描述 | Single N-Channel Power MOSFET |
| 封裝外殼 | SOT-23-6 |
| 文件大小 |
531.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-31 23:00:00 |
CPH6443規(guī)格書詳情
CPH6443屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的CPH6443晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.
Features
? Low On-Resistance
? 4V drive
? ESD Diode-Protected Gate
? Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance
Typical Applications
? DC/DC Converter
? Current Balance Switch for Backlight
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
CPH6443-P-TL-H
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
6A（Tj）
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝：
6-CPH
- 封裝/外殼：
SOT-23-6
- 描述：
MOSFET N-CH 35V 6A CPH6
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT236 |
7350 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
23+ |
NA/ |
3000 |
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O |
2020+ |
CPH6 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-363 |
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VBsemi/臺(tái)灣微碧 |
21+ |
CPH6 |
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ON |
23+ |
CPH-6 |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
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ON/安森美 |
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TSOP6 |
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