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CRCW08053R30JNEBC

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電阻器 片式電阻器 - 表面貼裝 描述:RES 3.3 OHM 5% 1/8W 0805

Vishay Dale

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CRCW08053R30FKEA

RFPowerLDMOSTransistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

CRCW08053R30FKEA

AirfastRFPowerGaNTransistor

Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?OptimizedformassiveMIMOactiveantennasystemsfor5Gbasestations

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

CRCW08053R30FKEA

1805–2200MHz,107WAVG.,48VAIRFASTRFPOWERGaNTRANSISTOR

Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?AbletowithstandextremelyhighoutputVSWRandbroadbandoperating conditions

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

CRCW08053R30FKEA

AirfastRFPowerGaNTransistor

This27dBmRFpowerGaNtransistorisdesignedforcellularbasestation applicationscoveringthefrequencyrangeof2496to2690MHz. Features ?Highterminalimpedancesforoptimalbroadbandperformance ?Designedforlowcomplexitylinearizationsystems ?Universalbroadbanddriver ?

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

CRCW08053R30JNEA

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CRCW08053R30JNEBC

  • 制造商:

    Vishay Dale

  • 類別:

    電阻器 > 片式電阻器 - 表面貼裝

  • 系列:

    CRCW-C

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 容差:

    ±5%

  • 功率 (W):

    0.125W,1/8W

  • 成分:

    厚膜

  • 溫度系數(shù):

    ±200ppm/°C

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 155°C

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    805

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)

  • 高度 - 安裝(最大值):

    0.024"(0.60mm)

  • 描述:

    RES 3.3 OHM 5% 1/8W 0805

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CRCW08053R30JNEBC供應(yīng)商 更新時間2024-12-29 8:30:00