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CRH02B中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CRH02B
廠商型號

CRH02B

功能描述

High-Efficiency Diode (HED) Silicon Diffused Junction

文件大小

303.43 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-4 22:50:00

CRH02B規(guī)格書詳情

Applications

? Radio-Frequency Rectification in Switching Regulators

Features

(1) Repetitive peak reverse voltage : VRRM = 200 V

(2) Average forward current : IF(AV) = 0.5 A

(3) Peak forward voltage : VFM = 0.95 V (max) @IFM = 0.5 A (pulse measurement)

(4) Reverse recovery time : trr = 35 ns (max) @IF = 1.0 A, di/dt = -30 A/μs

(5) The use of small, thin surface-mount package is optimum way for high-density mounting.

Nickname: S-FLATTM

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