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CS1N60	文件：403.24 Kbytes Page：5 Pages	VDMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
CS1N60F	文件：403.24 Kbytes Page：5 Pages	VDMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
D1N60	文件：300.45 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeRectifiers(600V1A) FEATURES ●Highvoltage ●Highreliabilitywithsuperiormoistureresistance ●5mmpitchmountingapplicable APPLICATION ●ConventionalRectification ●Powersource(PowerSupply) ●HomeAppliances,OfficeEquipment ●Telecommunication,FactoryAutomation	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新電元工業(yè)株式會社	SHINDENGEN
DTL1N60	文件：4.09167 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFETAvailableinTapeandReel	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTP1N60	文件：4.09167 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFETAvailableinTapeandReel	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU1N60	文件：4.09167 Mbytes Page：12 Pages	PowerMOSFETAvailableinTapeandReel	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FIR1N60ABPG	文件：5.47622 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FIR1N60ALG	文件：6.05177 Mbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導體深圳市福斯特半導體有限公司	FOSTER
FKN1N60SA	文件：300.13 Kbytes Page：7 Pages	TRIAC(SiliconBidirectionalThyristor)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQB1N60	文件：545.42 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60	文件：543.8 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60	文件：549.28 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60C	文件：758.35 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60C	文件：640.5 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60C	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET600V,1.0A,11.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60C	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET600V,1.0A,11.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60C	文件：824.93 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQD1N60C	文件：305.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=11.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQD1N60CTM	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFET?MOSFET600V,1.0A,11.5廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD1N60TM	文件：549.28 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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