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MTP6N10

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP6N10

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHD6N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingfeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.Intendedforusei

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHP6N10E

PowerMOStransistor

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePowerSupplies

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PJD6N10A

100VN-ChannelMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@3A

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJD6N10A

100VN-ChannelMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

SSFP6N10

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

STD6N10

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.35? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUG

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

UTT6N10

100V,6AN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

UTT6N10Z

N-ChannelPowerMOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
華晶微
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華晶微
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更多CS6N10AE-G供應(yīng)商 更新時間2025-3-13 22:36:00

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