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CS8312YN8

IGBT Ignition Predriver with Dynamic Current Regulation

Description TheCS8312isabipolarmicroprocessorinterfaceICdesignedtodriveanIGBT(orlogiclevelMOSFETs)poweringlargeinductiveloadsinharshoperatingenvironments.TheIC?sdynamiccurrentlimitfunctionletsthemicroprocessoradjustthecurrentlimitthresholdtotherealtimene

CHERRY

Cherry Semiconductor Corporation

CS8312YN8

IGBT Ignition Predriver

TheCS8312isabipolarmicroprocessorinterfaceICdesignedtodriveanIGBT(orlogiclevelMOSFETs)poweringlargeinductiveloadsinharshoperatingenvironments.TheIC’sdynamiccurrentlimitfunctionletsthemicroprocessoradjustthecurrentlimitthresholdtotherealtimeneedsofthesy

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

CS8312YN8

Package:8-DIP(0.300",7.62mm);包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 柵極驅(qū)動器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CS8312YN8

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動配置:

    低端

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    7V ~ 10V

  • 輸入類型:

    非反相

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ON
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ON Semiconductor
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8PDIP
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ON/安森美
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原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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更多CS8312YN8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 14:08:00