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CSD17318Q2_TI/德州儀器_這款采用2mm×2mm SON封裝的30V,12.6mΩNexFET?功率MOSFET的設計被用來降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗,并優(yōu)化5V柵極驅(qū)動器.2mm x 2mm SON針對封裝尺寸提供了出色的散熱性能京北通宇電子
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