CTLT8099分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
CTLT8099 |
| 參數屬性 | CTLT8099 封裝/外殼為3-TDFN 裸露焊盤；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS NPN 80V 0.5A TLM322 |
| 功能描述 | SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 3-TDFN 裸露焊盤 |
| 文件大小 |
505.82 Kbytes |
| 頁面數量 |
2 頁 |
| 生產廠商 | Central Semiconductor Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
Central |
| 中文名稱 | 美國中央半導體官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-27 20:00:00 |
CTLT8099規(guī)格書詳情
CTLT8099屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由美國中央半導體制造生產的CTLT8099晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。
產品屬性
更多- 產品編號：
CTLT8099-M322S TR
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 5mA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 1mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
150MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-TDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：
TLM322
- 描述：
TRANS NPN 80V 0.5A TLM322
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRALSEMI |
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