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CTS314	文件：1.52209 Mbytes Page：14 Pages	1.0A MOSFET/IGBT Gate Driver Optocoupler Features ?PeakOutputCurrent:IOP=±1.0A(max) ?ThresholdInputCurrent:IFLH=5mA(max) ?Commonmodetransientimmunity:±25kV/μs(min） ?RoHSandREACHCompliance ?HalogenFreeCompliance ?MSLclass1 ?RegulatoryApprovals ?UL-UL1577(E364000) ?VDE-EN60747-5-5(VDE088	CTMICRO CT Micro International Corporation	CTMICRO
D314RP	文件：101.01 Kbytes Page：2 Pages	ShortCircuitProtectedRegulated,3WSIPDC/DCConverters	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
D314RU	文件：273.8 Kbytes Page：2 Pages	D300RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
D314RW	文件：191.18 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput3WSIP,WideInputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
DEM-314GT-C	文件：285.76 Kbytes Page：8 Pages	DEM-314GTD-LinkCompatibleTransceiverSFP1000Base-ZX(1550nm,SMF,80km,LC,DOM) Features ATGBICSDEM-314GT?1000Base-ZXsupportsadistanceofupto80kmoversinglemodefibre?(SMF)usingawavelengthof1550nmviaanLCconnector. ?Digitalopticalmonitoring(DOM)supportisalsopresentenablingreal-time?monitoringoftheparametersofthefibre?optictransceiver. ?Ourpr	ATGBICS ATGBICS by Approved Technology	ATGBICS
DR314	文件：1.97664 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUMDOIDES GERMANIUMDIODES	AAC American Accurate Components, Inc.	AAC
DR314	文件：1.97664 Mbytes Page：2 Pages	GERMANIUMDOIDES	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
DTC314T	文件：75.93 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC314TK	文件：75.93 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC314TK	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC314TS	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC314TU	文件：74.4 Kbytes Page：4 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
DTC314TU	文件：75.93 Kbytes Page：3 Pages	Digitaltransistors(built-inresistor) 600mA/15VDigitaltransistors(withbuilt-inresistors) Features Inadditiontothefeaturesofregulardigitaltransistors, 1)Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=40mVatIC/IB=50mA/2.5mA,makesthesetransistorsidealformutingcircuits. 2)Thesetransistorscanbeusedathig	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
EL-314	文件：192.43 Kbytes Page：2 Pages	InfraredEmittingDiodes(GaAs) TheEL-314ahigh-powerGaAsIREDmountedinaclearsidelookingpackage,iscompact,lowprofile,andeasytomount. FEATURES ?Compact ?Lowprofilepackage ?Low-cost ?Sidelookingplasticpackage APPLICATIONS ?Photointerrupters ?Opticalswitches ?Toys	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
ESDS314	文件：548.64 Kbytes Page：17 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ESDS314	文件：1.15345 Mbytes Page：21 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ESDS314	文件：1.2376 Mbytes Page：24 Pages	ESDS31xData-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVContactDischarge –±30kVAirGapDischarge ?IEC61000-4-4EFTprotection: –80A(5/50ns) ?IEC61000-4-5surgeprotection: –25A(8/20μs) ?IOcapacitance: –4.5pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:5.5V(minimum) ?Ultralowleakagec	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
ESDS314DBVR	文件：548.64 Kbytes Page：17 Pages	Data-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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ESDS314DBVR	文件：1.2376 Mbytes Page：24 Pages	ESDS31xData-LineSurgeandESDProtectionDiodeArray 1Features ?IEC61000-4-2ESDprotection: –±30kVContactDischarge –±30kVAirGapDischarge ?IEC61000-4-4EFTprotection: –80A(5/50ns) ?IEC61000-4-5surgeprotection: –25A(8/20μs) ?IOcapacitance: –4.5pF(typical) ?DCbreakdownvoltage:5.5V(minimum) ?Ultralowleakagec	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1

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供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市賽美科科技有限公司	CTS3-221J	CENTRALTECHNOLOGIES		NA	16355	一級代理原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨	詢價
深圳宇航軍工半導體有限公司	CTS3250022	CTS	19+	SMD14X9-6PIN	68423	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CTS3-32.768-12.5-20-CT		24+	N/A	64000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
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更多CTS314供應商更新時間2025-1-8 15:43:00

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