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EVAL-ADV7341EBZ	文件：1.08564 Mbytes Page：88 Pages	MultiformatVideoEncoder,Six12-BitNoiseShapedVideo?DACS FEATURES 74.25MHz20-/30-bithighdefinitioninputsupport CompliantwithSMPTE274M(1080i),296M(720p),and240M(1035i) 6NoiseShapedVideo(NSV)12-bitvideoDACs 16×(216MHz)DACoversamplingforSD 8×(216MHz)DACoversamplingforED 4×(297	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術有限公司	AD
F7341	文件：134.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7341	文件：379.66 Kbytes Page：7 Pages	GenerationVTechnology TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboardspace.Thepa	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司	UMW
IRF7341	文件：340.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthroughacustomized leadframeforenhancedthermalcharacteristicsand multiple-diecapabilitymakingitidealinavarietyof powerapplications.Withtheseimprovements,multiple devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically reducedboard	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF7341GPBF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341GTRPbF	文件：205.3 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7341PBF	文件：158.59 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341Q	文件：156.51 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,theseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseAutomotivequalifiedHEXFETPowerMOSFET’sarea17	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：231.77 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET?PowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF
IRF7341QTRPBF	文件：218.6 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheseHEXFET?PowerMOSFET’sinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFET’sarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepe	IRF International Rectifier	IRF

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詳細參數(shù)

型號：
CV7341A
功能描述：
PNP

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