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DGD2181	文件：484.59 Kbytes Page：7 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-8	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DGD2181M	文件：576.67 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DGD2181M	文件：607.2 Kbytes Page：11 Pages	HIGH-SIDEANDLOW-SIDEGATEDRIVERINSO-8 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinaHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -WideLow-SideGateDriverandLogicSupply:10Vto20V -	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DS2181A	文件：376.61 Kbytes Page：32 Pages	CEPTPrimaryRateTransceiver DESCRIPTION TheDS2181AisdesignedforuseinCEPTnetworksandsupportsalllogicalrequirementsofCCITTRedBookRecommendationsG.704,G.706andG.732.ThetransmitsidegeneratesframingpatternsandCRC4codes,formatsoutgoingchannelandsignalingdata,andproducesnetworkalarmcodesw	DallasDallas Semiconductor 亞德諾亞德諾半導體	Dallas
EG2181	文件：700.82 Kbytes Page：12 Pages	HIgh-PowerMOStubedriverchip	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微電子屹晶微電子有限公司	EGMICRO
ENA2181A	文件：331.79 Kbytes Page：15 Pages	ForCarAudioSystemsMulti-PowerSupplyIC	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
GQ2181	文件：755.71 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPositiveVoltageRegulator	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
GQ2181	文件：749.9 Kbytes Page：5 Pages	CMOSPOSITIVEVOLTAGEREGULATOR Description TheGQ2181seriesofpositive,linearregulatorsfeaturelowquiescentcurrent(50μAtyp.)withlowdropoutvoltageandexcellentPSRR,thusmakingthemidealforTelecommunicationsandotherbatteryapplications. TheseruggeddeviceshavebothThermalShutdown,andCurrentFold-back	GTMGTM CORPORATION 勤益投資控股勤益投資控股股份有限公司	GTM
INA2181	文件：1.28308 Mbytes Page：34 Pages	INAx181Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifier	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：2.46682 Mbytes Page：56 Pages	INAx181Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：1.40349 Mbytes Page：43 Pages	Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：1.48094 Mbytes Page：46 Pages	Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：1.7221 Mbytes Page：47 Pages	Automotive,Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：1.88302 Mbytes Page：49 Pages	Automotive,bidirectional,low-andhigh-sidevoltageoutput,current-senseamplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：1.4384 Mbytes Page：44 Pages	Automotive,Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：2.56681 Mbytes Page：62 Pages	INAx181Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers 1Features ?Common-moderange(VCM):–0.2Vto+26V ?Highbandwidth:350kHz(A1devices) ?Offsetvoltage: –±150μV(maximum)atVCM=0V –±500μV(maximum)atVCM=12V ?Outputslewrate:2V/μs ?Bidirectionalcurrent-sensingcapability ?Accuracy: –±1gainerror(maximum) –	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
INA2181	文件：2.31721 Mbytes Page：52 Pages	INAx181-Q1Automotive,Bidirectional,Low-andHigh-SideVoltageOutput,Current-SenseAmplifiers 1Features ?AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°C≤TA≤125°C –HBMESDclassificationlevel2 –CDMESDclassificationlevelC6 ?FunctionalSafety-Capable –Documentationavailabletoaidfunctionalsafety systemdesign ?Common-moderange(VCM):–	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
IPP-2181	文件：72.76 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINECOUP	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
IR2181	文件：370.01 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IR2181	文件：364.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2181(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRF International Rectifier	IRF

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