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CXT5551分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

CXT5551
廠商型號

CXT5551

參數(shù)屬性

CXT5551 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

文件大小

193.01 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.
企業(yè)簡稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-25 11:16:00

晶體管資料

  • 型號:

    CXT5551

  • 別名:

    CXT5551三極管、CXT5551晶體管、CXT5551晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    射頻/高頻放大 (HF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    150V

  • 最大電流允許值:

  • 最大工作頻率:

    100MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    CZT5551,

  • 最大耗散功率:

    1.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-100

  • vtest:

    150

  • htest:

    100000000

  • atest:

    0

  • wtest:

    1.2

CXT5551規(guī)格書詳情

FEATURES

● Switching and amplification in high voltage.

● Low current(max. 600mA)

● High voltage (max. 180V)

APPLICATIONS

● High voltage amplifier application.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CXT5551E BK

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    100mV @ 5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 10mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    300MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    TRANS NPN 220V 0.6A SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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