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CY14B101LA-ZS25XI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

CY14B101LA-ZS25XI
廠商型號

CY14B101LA-ZS25XI

參數屬性

CY14B101LA-ZS25XI 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

功能描述

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

810.8 Kbytes

頁面數量

24

生產廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 13:10:00

CY14B101LA-ZS25XI規(guī)格書詳情

Functional Description

The Cypress CY14B101LA/CY14B101NA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 128K bytes of 8 bits each or 64K words of 16 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power down. On power up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

Features

■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times

■ Internally Organized as 128K x 8 (CY14B101LA) or 64K x 16 (CY14B101NA)

■ Hands off Automatic STORE on Power Down with only a Small Capacitor

■ STORE to QuantumTrap Nonvolatile Elements Initiated by Software, Device Pin, or AutoStore on Power Down

■ RECALL to SRAM Initiated by Software or Power Up

■ Infinite Read, Write, and Recall Cycles

■ 200,000 STORE Cycles to QuantumTrap

■ 20 year Data Retention

■ Single 3V +20 to -10 Operation

■ Commercial and Industrial Temperatures

■ 54/44-Pin TSOP-II, 48-Pin SSOP, and 32-Pin SOIC Packages

■ Pb-free and RoHS Compliance

產品屬性

  • 產品編號:

    CY14B101LA-ZS25XI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

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