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CY14B101NA-ZS25XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B101NA-ZS25XIT

1 Mbit (128K x 8/64K x 16) nvSRAM

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CY14B101NA-ZS25XIT

1-Mbit (128 K ? 8/64 K ? 16) nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

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CY14B101NA-ZS25XIT

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:44-TSOP(0.400",10.16mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY14B101NA-ZS25XC

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B101NA-ZS25XCT

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

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賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B101NA-ZS25XI

1-Mbit(128K?8/64K?16)nvSRAM

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賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B101NA-ZS25XI

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B101NA-ZS25XI

1Mbit(128Kx8/64Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B101LA/CY14B101NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas128Kbytesof8bitseachor64Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewor

CypressCypressSemiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY14B101NA-ZS25XIT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC NVSRAM 1MBIT PAR 44TSOP II

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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