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CY14V104NA-BA25XIT

4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY14V104NA-BA25XIT

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：48-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY14V104NA-BA25XI

4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM25nsand45nsaccesstimes

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY14V104NA-BA25XIT

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-FBGA（6x10）

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA

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更多CY14V104NA-BA25XIT供應(yīng)商 更新時間2024-11-7 8:24:00

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