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CY15V104QSN

4Mb EXCELON??Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM)

Features ?4-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof100trillion(1014)read/writecycles -151-yeardataretention(seeDataretentionandenduranceonpage98) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adva

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY15V104QSN

4Mb EXCELON? Ultra Ferroelectric RAM (F-RAM) Serial (quad SPI), 512K × 8, 108 MHz, industrial

Features ?4-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof100trillion(1014)read/writecycles -151-yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage101) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -A

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY15V104QSN

Excelon??Ultra 4-Mbit (512K ? 8) Quad SPI F-RAM

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY15V104QSN-108LPXIT

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：8-UQFN 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8GQFN

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY15V104QSN-108SXI

包裝：托盤 封裝/外殼：8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY15V104QSN-108SXIT

包裝：托盤 封裝/外殼：8-SOIC（0.209"，5.30mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FRAM 4MBIT SPI/QUAD I/O 8SOIC

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY15V104QI

4MbEXCELON?LPFerroelectricRAM(F-RAM)

Features ?4-Mbitferroelectricrandomaccessmemory(EXCELON?LPF-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedendurance1000trillion(1015)read/writes -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage26) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY15V104QN

4MbEXCELON?AutoFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,50MHz,automotivegrade3

Features ?4Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof100trillion(1014)read/writecycles -151-yeardataretention(see“Dataretentionandendurance”onpage24) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Advan

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

CY15V104QN

4-MbEXCELON?LPFerroelectricRAM(F-RAM)Serial(SPI),512K×8,industrial

Features ?4-Mbferroelectricrandomaccessmemory(F-RAM)logicallyorganizedas512K×8 -Virtuallyunlimitedenduranceof1000trillion(1015)read/writecycles -151-yeardataretention(See“Dataretentionandendurance”onpage27) -Infineoninstantnon-volatilewritetechnology -Adv

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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INFINEON/英飛凌
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更多CY15V104QSN供應(yīng)商 更新時間2024-12-22 16:30:00

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