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CY62256NLL-55ZXI

256K (32K x 8) Static RAM

Features ?TemperatureRanges —Commercial:0°Cto70°C —Industrial:–40°Cto85°C —Automotive-A:–40°Cto85°C —Automotive-E:–40°Cto125°C ?Highspeed:55ns ?Voltagerange:4.5V–5.5Voperation ?Lowactivepower —275mW(max.) ?Lowstandbypower(LLversion

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

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256K (32K x 8) Static RAM

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256 K (32 K x 8) Static RAM

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CY62256NLL-55ZXI

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

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CY62256NLL-55ZXIT

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

Cypress Semiconductor Corp

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CY62256NLL-55NXI

256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNI

256K(32Kx8)StaticRAM

Features ?TemperatureRanges —Commercial:0°Cto70°C —Industrial:–40°Cto85°C —Automotive-A:–40°Cto85°C —Automotive-E:–40°Cto125°C ?Highspeed:55ns ?Voltagerange:4.5V–5.5Voperation ?Lowactivepower —275mW(max.) ?Lowstandbypower(LLversion

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256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXE

256K(32K?8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXE

256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXE

256K(32Kx8)StaticRAM

Features ?TemperatureRanges —Commercial:0°Cto70°C —Industrial:–40°Cto85°C —Automotive-A:–40°Cto85°C —Automotive-E:–40°Cto125°C ?Highspeed:55ns ?Voltagerange:4.5V–5.5Voperation ?Lowactivepower —275mW(max.) ?Lowstandbypower(LLversion

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CY62256NLL-55SNXE

256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXET

256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXI

256K(32Kx8)StaticRAM

Features ?TemperatureRanges —Commercial:0°Cto70°C —Industrial:–40°Cto85°C —Automotive-A:–40°Cto85°C —Automotive-E:–40°Cto125°C ?Highspeed:55ns ?Voltagerange:4.5V–5.5Voperation ?Lowactivepower —275mW(max.) ?Lowstandbypower(LLversion

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256K(32Kx8)StaticRAM

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256K(32K?8)StaticRAM

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CY62256NLL-55SNXIT

256K(32Kx8)StaticRAM

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CY62256NLL-55ZI

256K(32Kx8)StaticRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY62256NLL-55ZXI

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    MoBL?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    55ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-TSSOP（0.465"，11.80mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-TSOP I

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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