CY7C1021BN集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號	CY7C1021BN
參數(shù)屬性	CY7C1021BN 封裝/外殼為44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
功能描述	1-Mbit (64K x 16) Static RAM
封裝外殼	44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
文件大小	474.86 Kbytes
頁面數(shù)量	10 頁
生產(chǎn)廠商	CypressSemiconductor
企業(yè)簡稱	Cypress【賽普拉斯】
中文名稱	賽普拉斯半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊	下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間	2025-2-24 19:00:00
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CY7C1021BN規(guī)格書詳情

Functional Description[1]

The CY7C1021BN/CY7C10211BN is a high-performance CMOS static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an automatic power-down feature that significantly reduces power consumption when deselected.

Features

? Temperature Ranges

— Commercial: 0°C to 70°C

— Industrial: –40°C to 85°C

— Automotive-A: –40°C to 85°C

— Automotive-E: –40°C to 125°C

? High speed

— tAA = 10 ns (Commercial)

— tAA = 15 ns (Automotive)

? CMOS for optimum speed/power

? Low active power

— 825 mW (max.)

? Automatic power-down when deselected

? Independent control of upper and lower bits

? Available in Pb free and non Pb free 44-pin TSOP II and

44-pin 400-mil-wide SOJ

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
CY7C1021BN-12VXCT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 異步
存儲容量：
1Mb（64K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
12ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應商器件封裝：
44-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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