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CY7C1021CV26集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

CY7C1021CV26
廠商型號

CY7C1021CV26

參數(shù)屬性

CY7C1021CV26 封裝/外殼為48-VFBGA;包裝為管件管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

功能描述

1-Mbit (64K x 16) Static RAM

封裝外殼

48-VFBGA

文件大小

247.2 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 10:28:00

CY7C1021CV26規(guī)格書詳情

Functional Description

The CY7C1021CV26 is a high-performance CMOS static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an automatic power-down feature that significantly reduces power consumption when deselected.

Features

■ Temperature Range

? Automotive: –40 °C to 125 °C

■ High speed

? tAA = 15 ns

■ Optimized voltage range: 2.5 V to 2.7 V

■ Low active power: 220 mW (Max)

■ Automatic power-down when deselected

■ Independent control of upper and lower bits

■ CMOS for optimum speed/power

■ Available in Pb-free and non Pb-free 44-pin TSOP II, 44-pin (400-Mil) Molded SOJ and Pb-free 48-ball FBGA packages

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C1021CV26-15BAET

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    2.5V ~ 2.7V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-VFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Cypress
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