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CY7C106B-20VI

256K x 4 Static RAM

FunctionalDescription TheCY7C106BandCY7C1006Barehigh-performanceCMOSstaticRAMsorganizedas262,144wordsby4bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Thesedeviceshaveanautomaticpower-down

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C106B-20VC

256Kx4StaticRAM

FunctionalDescription TheCY7C106BandCY7C1006Barehigh-performanceCMOSstaticRAMsorganizedas262,144wordsby4bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Thesedeviceshaveanautomaticpower-down

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

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更多CY7C106B-20VI供應(yīng)商 更新時間2025-1-20 15:15:00