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CY7C1163KV18-400BZI

18-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1163KV18-400BZI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:165-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY7C1163KV18-400BZI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存儲(chǔ)容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Cypress
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更多CY7C1163KV18-400BZI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 16:30:00