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CY7C11681KV18-450BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C11681KV18-450BZXC

包裝:管件 封裝/外殼:165-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY7C11681KV18-450BZC

18-MbitDDRIISRAMTwo-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C11681KV18-450BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,DDR II+

  • 存儲容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CypressSemiconductorCorp
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更多CY7C11681KV18-450BZXC供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 16:18:00