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CY7C11701KV18

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C11701KV18-400BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C11701KV18-400BZXC

Package:165-LBGA;包裝:管件 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    CY7C11701KV18

  • 功能描述:

    IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 系列:

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器:

    EEPROMs - 串行

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    32K(4K x 8)

  • 速度:

    100kHz,400kHz

  • 接口:

    I²C,2 線串口

  • 電源電壓:

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    8-SOIC

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 其它名稱(chēng):

    CAV24C32WE-GT3OSTR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多CY7C11701KV18供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-11 17:38:00