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CY7C11701KV18

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C11701KV18-400BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C11701KV18-400BZXC

Package：165-LBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細參數(shù)

  • 型號：

    CY7C11701KV18

  • 功能描述：

    IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    3,000

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    32K(4K x 8)

  • 速度：

    100kHz，400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應商設(shè)備封裝：

    8-SOIC

  • 包裝：

    帶卷(TR)

  • 其它名稱：

    CAV24C32WE-GT3OSTR

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C11701KV18供應商 更新時間2025-1-27 16:20:00

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