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CY7C1170KV18-550BZC

18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1170KV18-550BZC

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1170KV18-550BZC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II+

  • 存儲容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1170KV18-550BZC供應(yīng)商 更新時間2024-11-6 15:00:00

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