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CY7C12481KV18

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C12481KV18-400BZC

36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C12481KV18-400BZC

Package：165-LBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C12481KV18-400BZXC

Package：165-LBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CY7C12481KV18

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 2M X 18 400MHz DDR II+ 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最小：

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C12481KV18供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 10:20:00

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