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CY7C1265V18

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-300BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-300BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-300BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-300BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-333BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-333BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-333BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-333BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-375BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-375BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-375BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-375BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-400BZC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-400BZI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-400BZXC

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-400BZXI

36-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1265V18-400BZC

包裝：管件管件 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1265V18-400BZXC

包裝：管件管件 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1265V18-450BZC

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    CY7C1265V18

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36M QDR2+靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 B2 2.5

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲(chǔ)容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時(shí)間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最小：

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Cypress
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Cypress一級(jí)分銷,原裝原盒原包裝!
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 詢價(jià)
更多CY7C1265V18供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-9 16:19:00

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