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CY7C13121KV18

18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C13121KV18-300BZXC

18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C13121KV18-300BZXC

Package：165-LBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    CY7C13121KV18

  • 功能描述：

    IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FPBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    2,500

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型：

    EEPROM

  • 存儲容量：

    1K(128 x 8)

  • 速度：

    100kHz

  • 接口：

    UNI/O?（單線）

  • 電源電壓：

    1.8 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 寬）

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-MSOP

  • 包裝：

    帶卷(TR)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C13121KV18供應(yīng)商 更新時間2025-2-11 16:09:00

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