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CY7C1315BV18-200BZXC

18-Mbit QDR??II SRAM 4-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1315BV18-200BZXC

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1315BV18-200BZC

18-MbitQDR??IISRAM4-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1315BV18-200BZC

18-MbitQDR-IISRAM4-WordBurstArchitecture

FunctionalDescription TheCY7C1311BV18,CY7C1911BV18,CY7C1313BV18,andCY7C1315BV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDR?-IIarchitecture.QDR-IIarchitectureconsistsoftwoseparateportstoaccessthememoryarray.TheReadporthasdedicatedDataOutputstosupportReado

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1315BV18-200BZI

18-MbitQDR??IISRAM4-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1315BV18-200BZXI

18-MbitQDR??IISRAM4-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1315BV18-200BZXC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，QDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
Cypress
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 詢價(jià)
更多CY7C1315BV18-200BZXC供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 16:19:00

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