CY7C1318KV18-250BZI_集成電路(IC) 存儲器-Cypress Semiconductor Corp

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  • 廠家型號:

    CY7C1318KV18-250BZI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 庫存數(shù)量:

    60

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    165-LBGA

  • 包裝:

    托盤

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-12-23 14:00:00

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原廠料號:CY7C1318KV18-250BZI品牌:Cypress Semiconductor Corp

資料說明:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CY7C1318KV18-250BZI是集成電路(IC) > 存儲器。制造商Cypress Semiconductor Corp生產(chǎn)封裝165-LBGA的CY7C1318KV18-250BZI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    cy7c1318kv18-250bzi

  • 規(guī)格書:

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  • 資料說明:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C1318KV18-250BZI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,DDR II

  • 存儲容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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