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CY7C1321KV18-250BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1321KV18-250BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1321KV18-250BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

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18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

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CY7C1321KV18-250BZXC

Package：165-LBGA；包裝：托盤(pán) 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1321KV18-250BZXCT

Package：165-LBGA；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1321KV18-250BZC

18-MbitDDRIISRAMFour-WordBurstArchitecture

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18-MbitDDRIISRAMFour-WordBurstArchitecture

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18-MbitDDRIISRAMFour-WordBurstArchitecture

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18-MbitDDRIISRAMFour-WordBurstArchitecture333-MHzclockforhighbandwidth

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CY7C1321KV18-250BZXC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲(chǔ)容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CYPRESS
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更多CY7C1321KV18-250BZXC供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 13:00:00

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