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CY7C1321KV18-250BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture 333-MHz clock for high bandwidth

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1321KV18-250BZXC

18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

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18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

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18-Mbit DDR II SRAM Four-Word Burst Architecture

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CY7C1321KV18-250BZXC

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C1321KV18-250BZXCT

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

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18-MbitDDRIISRAMFour-WordBurstArchitecture

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY7C1321KV18-250BZXC

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1321KV18-250BZXC供應商 更新時間2024-12-22 13:00:00

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