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CY7C1471BV25

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1471BV25

72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

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CY7C1471BV25_11

72-Mbit (2 M x 36/4 M x 18/1 M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

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CY7C1471BV25-100AXC

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

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CY7C1471BV25-100AXI

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

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CY7C1471BV25-100BZC

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1471BV25-100BZI

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1471BV25-100BZXC

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C1471BV25-100BZXI

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

CypressCypressSemiconductor

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CY7C1471BV25-133AXC

72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    CY7C1471BV25

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx36 2.5V NoBL FT 靜態(tài)隨機存取存儲器

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C1471BV25供應商 更新時間2025-1-24 16:20:00

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