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CY7C1648KV18-400BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

FunctionalDescription TheCY7C1648KV18,andCY7C1650KV18are1.8-VsynchronouspipelinedSRAMsequippedwithDDRII+architecture.TheDDRII+consistsofanSRAMcorewithadvancedsynchronousperipheralcircuitry. Features ■144-Mbitdensity(8M×18,4M×36) ■450-MHzclockforhighban

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1648KV18-400BZXC

144-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency)

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CY7C1648KV18-400BZXC

包裝:托盤 封裝/外殼:165-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C1648KV18-400BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,DDR II+

  • 存儲容量:

    144Mb(8M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1648KV18-400BZXC供應(yīng)商 更新時間2024-12-28 8:12:00