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CY7C21701KV18

18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C21701KV18-400BZXC

18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C21701KV18-400BZXC

Package:165-LBGA;包裝:管件 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    CY7C21701KV18

  • 功能描述:

    靜態(tài)隨機存取存儲器 Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 QDR

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量:

    16 Mbit

  • 組織:

    1 M x 16

  • 訪問時間:

    55 ns

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流:

    22 uA

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    TSOP-48

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多CY7C21701KV18供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 16:20:00