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CY7C25632KV18-550BZXI

72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

FunctionalDescription TheCY7C25632KV18andCY7C25652KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthas

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY7C25632KV18-550BZXI

72-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

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CY7C25632KV18-550BZXI

Package:165-LBGA;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:SRAM - SYNCHRONOUS, QDR II+ MEMO

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C25632KV18-550BZXI

Package:165-LBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

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CY7C25632KV18-550BZC

72-MbitQDR?IISRAMFour-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)withODT

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CY7C25632KV18-550BZC

72-MbitQDR?IISRAMFour-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)withODT

FunctionalDescription TheCY7C25632KV18andCY7C25652KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRII+architecture.SimilartoQDRIIarchitecture,QDRII+architectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthas

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C25632KV18-550BZXI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口

  • 存儲容量:

    72Mb(4M x 18)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    SRAM - SYNCHRONOUS, QDR II+ MEMO

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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