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CY7C2644KV18-333BZI集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

CY7C2644KV18-333BZI
廠商型號

CY7C2644KV18-333BZI

參數(shù)屬性

CY7C2644KV18-333BZI 封裝/外殼為165-LBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

功能描述

144-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) with ODT

文件大小

885.8 Kbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-4 8:01:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY7C2644KV18-333BZI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,QDR II+

  • 存儲容量:

    144Mb(4M x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA

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