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GLY10N05

SURFCOILSMTINDUCTORS

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GLZ10N05

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GLZP10N05

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MTD10N05E

TMOS4POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

TMOSIV PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD10N05E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SDD10N05

10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

SDD10N05

DiscreteDiodes

SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽萊克電子江蘇矽萊克電子科技有限公司

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更多D10N05供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 9:02:00