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ADM35P06E

P-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●FastSwitching ●Improveddv/dtCapability ●GreenDeviceAvailable Description: TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgate

ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

愛德微愛德微(深圳)電子有限公司

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

HLDD35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

HLDF35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD

匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司

HLDF35P06

P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SSD35P06-C

P-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TS35P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

TS35P06G

35A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多D35P06TA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-4 14:02:00