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D60961

2110–2170 MHz, 18 W AVG., 28 V AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR

Features ?AdvancedHighPerformanceIn-PackageDoherty ?GreaterNegativeGate-SourceVoltageRangeforImprovedClassC Operation ?DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

D60NF

N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK

Description ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D60NF06

N-channel 60V - 0.014ohm - 60A - DPAK

Description ThisPowerMosfetseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.ItisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhighefficiencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandComputera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

D60P

BI-DIRECTIONAL TRIGGER DIACS

VBR:32-60Volts FEATURES: *Highcurrentcapability *Highreliability *Lowleakagecurrent *Lowpowerdissipation *Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: *Case:DO-41Moldedplastic *Epoxy:UL94V-Orateflameretardant *Lead:AxialleadsolderableperMIL-STD-202,Method208gua

EIC

EIC discrete Semiconductors

D60R520C6

Marking：6R520C6；Package：PG-TO252；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffer

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

D60VC100

Silicon-Twin Rectifiers

Silicon-Twin-Rectifiers ?Nominalcurrent60A ?Alternatinginputvoltage60...800V ?Plasticcasewithalu-bottom28.5x28.5x10[mm] ?Weightapprox.23g ?Plas

Diotec

Diotec Semiconductor

D60VC120

Silicon-Twin Rectifiers

Silicon-Twin-Rectifiers ?Nominalcurrent60A ?Alternatinginputvoltage60...800V ?Plasticcasewithalu-bottom28.5x28.5x10[mm] ?Weightapprox.23g ?Plas

Diotec

Diotec Semiconductor

D60VC20

Silicon-Twin Rectifiers

Silicon-Twin-Rectifiers ?Nominalcurrent60A ?Alternatinginputvoltage60...800V ?Plasticcasewithalu-bottom28.5x28.5x10[mm] ?Weightapprox.23g ?Plas

Diotec

Diotec Semiconductor

D60VC40

Silicon-Twin Rectifiers

Silicon-Twin-Rectifiers ?Nominalcurrent60A ?Alternatinginputvoltage60...800V ?Plasticcasewithalu-bottom28.5x28.5x10[mm] ?Weightapprox.23g ?Plas

Diotec

Diotec Semiconductor

D60VC60

Silicon-Twin Rectifiers

Silicon-Twin-Rectifiers ?Nominalcurrent60A ?Alternatinginputvoltage60...800V ?Plasticcasewithalu-bottom28.5x28.5x10[mm] ?Weightapprox.23g ?Plas

Diotec

Diotec Semiconductor

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    D605050

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    500V

  • 最大電流允許值：

    50A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    885W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    F-23

  • vtest：

    500

  • htest：

    999900

  • atest：

    50

  • wtest：

    885

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    D60

  • 功能描述：

    DIAC(BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|70V V(BO) MAX|50UA I(S)|DO-204AH

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
HUTSON
24+
59900
詢價(jià)
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QFP
2500
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原廠原裝
5270
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng)
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全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì)
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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5000
原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
更多D60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-22 16:30:00

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