D75703中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
廠(chǎng)商型號(hào) |
D75703 |
功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
文件大小 |
362.83 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
20 頁(yè) |
生產(chǎn)廠(chǎng)商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱(chēng) | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-5 23:00:00 |
D75703規(guī)格書(shū)詳情
N?Channel Enhancement?Mode Lateral MOSFET
This 2 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station
applications covering the frequency range of 728 to 960 MHz.
Features
? Greater negative gate?source voltage range for improved Class C
operation
? On?chip matching (50 ohm input, DC blocked)
? Integrated quiescent current temperature compensation with
enable/disable function (1)
? Integrated ESD protection
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
23+ |
NA/ |
22143 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
11+ |
PBF |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI |
BGA |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
22+ |
BGA |
52000 |
原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
24+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
TI/德州儀器 |
22+ |
BGA |
18000 |
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
22+ |
BGA |
18000 |
原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
原裝 |
專(zhuān)業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
INFINEON |
2023+ |
41MM |
80000 |
一級(jí)代理/分銷(xiāo)渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
Infineon |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠(chǎng)授權(quán)一級(jí)代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢(xún)價(jià) |