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DAM130N30G

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

DACO

DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

IXFN130N30

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=130A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18mΩ(TYP)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRITION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFN130N30

HiPerFETPowerMOSFETsSingleDieMOSFET

VDSS=300V ID25=130A RDS(on)=22m? trr N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features Internationalstandardpackages miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation LowRDS(on)HDMOS?process Ruggedpolysilicongatecellstructure

IXYS

IXYS Corporation

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更多DAM130N30G供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 10:03:00

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