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DDTC115EE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DDTC115EE
廠商型號(hào)

DDTC115EE
參數(shù)屬性

DDTC115EE 封裝/外殼為SOT-523；包裝為剪切帶（CT）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
功能描述

NPN PRE-BIASED TRANSISTOR IN SOT523
封裝外殼

SOT-523
文件大小

551.24 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-1 14:31:00
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DDTC115EE規(guī)格書詳情

Features

? Epitaxial Planar Die Construction

? Complementary PNP Types Available (DDTA)

? Built-In Biasing Resistors, R1 = R2

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? For automotive applications requiring specific change control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DDTC115EE-7-F

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    剪切帶（CT）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    82 @ 5mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 250μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-523

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-523

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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