首頁>DE150-201N09A>規(guī)格書詳情
DE150-201N09A中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
DE150-201N09A規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Low Qg and Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qg process
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to >100MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號：
DE150-201N09A
- 制造商：
IXYS
- 制造商全稱：
IXYS Corporation
- 功能描述：
RF Power MOSFET
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
歐美 |
2023+ |
品 貼片/插片,品 |
8700 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS |
24+ |
con |
10000 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
SMD |
6800 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IXYS |
14 |
6000 |
絕對原裝自己現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
IXYS/艾賽斯 |
23+ |
NA |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
MURATA |
7000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | ||||
MUR |
24+ |
100 |
詢價 | ||||
GAUSSTEK/豐晶 |
23+ |
SMD |
36000 |
專注電感/現(xiàn)貨足訂貨快價格優(yōu)品質(zhì)保證 |
詢價 | ||
MURATA/村田 |
15+Rohs |
DIP |
39800 |
一級質(zhì)量專業(yè)經(jīng)營自家?guī)齑婀?/div> |
詢價 | ||
IXYS/艾賽斯 |
2022+ |
6600 |
只做原裝,假一罰十,長期供貨。 |
詢價 |
