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DE275-102N06A分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

DE275-102N06A
廠商型號

DE275-102N06A

參數(shù)屬性

DE275-102N06A 封裝/外殼為6-SMD,扁平引線裸焊盤;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:RF MOSFET N-CHANNEL DE275

功能描述

RF Power MOSFET

封裝外殼

6-SMD,扁平引線裸焊盤

文件大小

173.46 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產廠商 IXYS Corporation
企業(yè)簡稱

IXYS

中文名稱

IXYS Corporation官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-22 22:30:00

DE275-102N06A規(guī)格書詳情

N-Channel Enhancement Mode

Low Qg and Rg

High dv/dt

Nanosecond Switching

Ideal for Class C, D, & E Applications

Features

? Isolated Substrate

? high isolation voltage (>2500V)

? excellent thermal transfer

? Increased temperature and power cycling capability

? IXYS advanced low Qg process

? Low gate charge and capacitances

? easier to drive

? faster switching

? Low RDS(on)

? Very low insertion inductance (<2nH)

? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials

Advantages

? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to 100MHz

? Easy to mount—no insulators needed

? High power density

產品屬性

  • 產品編號:

    DE275-102N06A

  • 制造商:

    IXYS-RF

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    DE

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    N 通道

  • 額定電流(安培):

    8A

  • 功率 - 輸出:

    590W

  • 封裝/外殼:

    6-SMD,扁平引線裸焊盤

  • 供應商器件封裝:

    DE275

  • 描述:

    RF MOSFET N-CHANNEL DE275

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