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DF200R12KE3HOSA1_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-IGBT-模塊-英飛凌

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原廠料號：DF200R12KE3HOSA1品牌：Infineon Technologies

資料說明：IGBT MODULE 1200V 1040W

DF200R12KE3HOSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/英飛凌生產(chǎn)封裝模塊的DF200R12KE3HOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    df200r12ke3hosa1

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說明：

    IGBT MODULE 1200V 1040W

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    DF200R12KE3HOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝：

    散裝

  • 配置：

    單路

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.15V @ 15V，200A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    無

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 1200V 1040W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon Technologies
24+
模塊
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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Infineon
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N/A
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INFINEON
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Infineon
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INFINEON/英飛凌
2021+
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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模塊
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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Infineon
2405+
原廠封裝
5000
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83272911鄒小姐
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INFINEON
23+
PZSDZ
8000
只做原裝現(xiàn)貨
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PZSDZ
7000
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