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HSZ222KAQBRBKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：徑向，圓片式類(lèi)別：電容器陶瓷電容器描述：CAP CER 2200PF 500V Y5T RADIAL	TS T&S Brass. All Rights Reserved.	TS
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HT222K	文件：201.31 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
HT222M	文件：201.31 Kbytes Page：2 Pages	CeramicCapacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
HW222	文件：892.97 Kbytes Page：1 Pages	1/2WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商etc2未分類(lèi)制造商	etc2
HZS222	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
IL222A	文件：53.66 Kbytes Page：3 Pages	PHOTODARLINGTONSMALLOUTLINESURFACEMOUNTOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheIL221A/IL222A/IL223Aisahighcurrenttransferratio(CTR)optocouplerwithaGalliumArsenideinfraredLEDemitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistordetector. ThisdevicehasaCTRtestedatan1mALEDcurrent.ThislowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfromCM	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
IL222AT	文件：54.89 Kbytes Page：3 Pages	PHOTODARLINGTONSMALLOUTLINESURFACEMOUNTOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransferratio(CTR)optocouplerwithaGalliumArsenideinfraredLEDemitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistordetector. ThisdevicehasaCTRtestedatan1mALEDcurrent.Thislowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfrom	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司	SIEMENS
IL222AT	文件：127.48 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransferratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLEDemitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistordetector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.ThislowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfromC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IL222AT	文件：119.66 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IL222AT	文件：119.97 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IMST222	文件：2.8617 Mbytes Page：52 Pages	TRANSPUTERRECOMMENDEDFORNEWDESIGNS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商	ETC1
IMX222LQJ	文件：286.7 Kbytes Page：2 Pages	Diagonal6.23mm(Type1/2.9)Approx.2.19M-EffectivePixelColorCMOSImageSensor	SonySony Corporation 索尼	Sony
IRF222	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF222	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
IRF222	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF222	文件：135.19 Kbytes Page：3 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRF222	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF222	文件：154.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFR222	文件：320.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
HSZ222KAQBRBKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
類(lèi)別：
電容器 > 陶瓷電容器
系列：
HS
包裝：
卷帶（TR）
容差：
±10%
電壓 - 額定：
500V
溫度系數(shù)：
Y5T
工作溫度：
-40°C ~ 85°C
應(yīng)用：
通用
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
徑向，圓片式
大小 / 尺寸：
0.354" 直徑（9.00mm）
高度 - 安裝（最大值）：
0.472"（12.00mm）
引線間距：
0.295"（7.50mm）
引線樣式：
直形
描述：
CAP CER 2200PF 500V Y5T RADIAL

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多HSZ222KAQBRBKR供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 18:23:00

產(chǎn)品屬性

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